 |
Počet návštev: 85442207
AMS práve číta: 1
|
|
|
|
|
 |
|
|
| Nohavica D., Gladkov P., Jarchovský Z., Zelinka J. |
| MODIFIKACE STRUKTURNÍCH DEFEKTŮ V PORÉZNÍM InP A RÚST STRUKTŮRNĚ NEPŘIZPŮSOBENÝCH HETEROPŘECHODŮ NA MIKROPORÉZNÍM InP A GaP |
Abstrakt
Elektrochemickým leptáním lze připravit pory i v polovodičích A3B5. V naší laboratoři jsou hlavně studovány pory v InP, GaAs, Ga0.51In0.49P a GaP. Nejúplnější soubor experimentálních údajů byl shromážděn v případě InP, který je vhodný k přípravě téměř dokonale samoorganizovaných mikroporových sítí. Rutinně jsou připravovány proudově orientované a/nebo krystalograficky orientované mikropóry. V průběhu tepelného zpracování souvisejícího s technologickými aplikacemi mikropórů v InP dochází k jejich spontánní konversi na mikrobubliny mechanizmem hmotového přenosu. Vznikající mikrobubliny mají tvar závisející na orientaci původních mikropórů, která je u pórů krystalografických <111>, <221> a <322>. Proudové póry jsou obvykle kolmé k povrchu podložky (100). Souvislost mezi směrem krystalografických mikroporů a mikrobyblin ve tvaru sférických rotačních elipsoidů je evidentní. Přítomnost mikrobublin v podpovrchové vrstvě InP podložky vede ke snížení hustoty dislokací v následné vrstvě pěstované technologií epitaxního růstu z kapalné fáze. Nejlepší výsledky byly dosaženy v případě pórů orientovaných do směru <111>, kdy výchozí hustota dislokací v podložce byla ve vrstvě redukována faktorem 0.6. Jiná potenciální aplikace porézních podložek byla předpovězena při růstu struktůrně nepřizpůsobených heteropřechodů. V práci je ověřována možnost růstu InAs na InP-porézní podložce, kde jsme zjistili podstatné zlepšení oproti růstu na neporézní podložce. Dále byla studována elektrochemická deposice ZnO na porézní podložce GaP , kde byla dosažená homogenita vrstvy lepší než u „objemové“ Si podložky při identických podmínkách deposice.
|
| K. s.: Micropores in semiconductors|InP micropores|GaP nanopores|heat treatment|dislocations reduction|InAs/InP heterostructure|ZnO/GaP heterostructure| |
| No 2 (2008), p. 240-246 |
|
|
|
|
|
|
|
Vydavatelia a tlač
AMS online
